近日，Soitec宣布，将与纯晶圆代工厂X-Fab开始合作，在X-Fab位于德克萨斯州拉伯克的工厂提供Soitec的SmartSiC技术用于生产碳化硅功率器件。

此次合作是在评估阶段成功完成之后进行的，在此期间，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圆上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec将通过联合供应链寄售模式为X-Fab的客户提供SmartSiC衬底的使用权。

据悉，Soitec正在其位于法国格勒诺布尔附近贝尔南的新工厂加大Smart SiC衬底的产量。而X-Fab正在拉伯克工厂提高SiC器件的生产能力。

碳化硅 (SiC) 是一种化合物半导体材料，具有固有特性，在功率应用中比硅具有卓越的性能和效率。 随着新能源汽车、光储充等市场需求推动，SiC功率器件用量持续走高。据TrendForce集邦咨询研究，2023年全球SiC Power Device市场规模约30.4亿美元，至2028年有望上升至91.7亿美元，CAGR达25%。

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