5月16日，致真存储芯片制造项目正式举行开工奠基仪式。本次仪式标志着项目正式拉开建设序幕，进入实质性建设阶段。

致真存储芯片制造项目位于青岛市西海岸新区古镇口，占地面积50亩，将建设新一代磁性随机存储芯片加工工艺线，以加速磁存储芯片的产业化进程。项目将围绕存储芯片领域，吸引产业相关上下游企业进行落地布局。项目建成达产后，将实现月产400万颗高端芯片，年产值数十亿。

资料显示，致真存储致力于MRAM芯片的研发和制造。公司团队历经十余年，成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结，是国内首个80nm以下MRAM核心器件。公司自有国内首创8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，实现产品全流程自主可控。

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