美光科技于6月10日宣布，已向多个主要客户交付了36GB的HBM4样品，这一里程碑标志着其在AI应用内存性能和能效方面的进一步提升。HBM4内存基于美光成熟的1ß（1-beta）DRAM工艺，采用12层堆叠封装技术，并具备高性能内存自检（MBIST）功能，旨在为开发下一代AI平台的客户提供无缝集成。

随着生成式AI的快速发展，推理能力的有效管理变得愈发重要。美光的HBM4内存采用2048位接口，每个内存堆栈的速度超过2.0 TB/s，性能较上一代产品提升了60%以上。这种扩展的接口设计促进了快速通信和高吞吐量，显著加速了大型语言模型和推理系统的性能，帮助AI加速器更快地响应和推理。

此外，与美光的上一代HBM3E产品相比，HBM4的功率效率提高了20%以上，进一步巩固了美光在内存功率效率方面的行业领先地位。这一改进使得在最低功耗下实现最大吞吐量成为可能，从而提升数据中心的整体效率。

美光云内存业务部高级副总裁Raj Narasimhan表示：“HBM4的性能、更高的带宽和行业领先的能效证明了我们的内存技术和产品的领先地位。我们将继续通过HBM4和强大的AI内存及存储解决方案推动创新。”

美光计划在2026年增加HBM4的产能，以与客户的下一代AI平台的量产保持一致。此举不仅将推动医疗、金融和交通等领域的创新，也将为社会带来重大益处。