3月11日，天成半导体宣布继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30㎜。

天成半导体在2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

14英寸碳化硅单晶材料则主要应用于碳化硅部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件。

碳化硅材料的部件具备密度高、热传导率高、弯曲强度大、弹性模数大等特性，能够适应晶圆外延、刻蚀等制造环节的强腐蚀性、超高温的恶劣反应环境，被广泛应用于等离子体刻蚀、外延生长、快速热处理、薄膜沉积、氧化/扩散、离子注入等主要半导体制造环节的设备中。