据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领先于国际同类产品标准。

铭镓半导体董事长陈政委表示，半绝缘型（010）铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际可做到25毫米×25毫米尺寸，而铭镓半导体可以做到40毫米×25毫米尺寸，可稳定生产多炉且累计一定库存。导电型（001）锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际上可达到4英寸，铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破，并将逐步稳定工艺供货。

据官网介绍，铭镓半导体致力于研发和生产新型半导体人工晶体材料，包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。

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